![异质结原理与器件](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/27/681027/b_681027.jpg)
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1.2 异质结基本关系式
两种材料的导带带阶ΔEC和价带带阶ΔEV,是异质结特有的重要参数,由图1-1可以看出,它们和电子亲和能之间的关系为
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0003.jpg?sign=1739628795-4Z9C416jHEF98CNxQOZUMW8pr4C1ppZK-0-d31439a2928b226e9c077c5e44935f79)
ΔEC与ΔEV之和等于两种材料禁带宽度之差,即
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0004.jpg?sign=1739628795-rph5PBVJQYaWsZlruXmsykosYrIoQWJZ-0-830e566adbcfb097693dce20b174853b)
真空电子能级的弯曲度qVD等于两种材料功函数之差,即
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0005.jpg?sign=1739628795-2VEBHQEPtQnuJUBdIrgvi06pddXSuYH5-0-0da0f08ef8603d786dfd791656023fe1)
其中,VD是异质结的内建电势差,又称接触电势差或扩散电势。VD1和VD2分别是界面两侧两种半导体材料中的内建电势差,它们之间的关系为
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0006.jpg?sign=1739628795-7mFQrjW4uScikumZsTkNlThzGDxBtbmf-0-cb52ed77ad6bc0def5fa91beb19676f3)
因为功函数与费米能级有关,因此内建电势差VD是通过费米能级求解的,即
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0017_0007.jpg?sign=1739628795-AZPLXQAseaCA6T14SWGsCXGAUzvuR41t-0-9cc66ca09c7ab281aaf02470af4997d9)
费米能级由电中性条件决定,通常不能给出解析表达式,但对非简并半导体,当杂质全部电离时有
![](https://epubservercos.yuewen.com/B3E824/3590462403892701/epubprivate/OEBPS/Images/figure_0018_0001.jpg?sign=1739628795-UzFoHAuxw6JkvbymrhKw3WwKscZI46Uz-0-73e945cfe17e75524c892ced65bb8b0f)
其中,NA1和NV1是带隙较小材料的受主杂质浓度和价带有效态密度,ND2和NC2是带隙较大材料的施主杂质浓度和导带有效态密度。